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关键词：
氢化物发生-原子荧光光谱,硒,形态,蔬菜
发表时间：
2011-12-21 10:49:53
CO_2_O_2_CF_4液体微滴喷射靶激光等离子体光源光谱
马义文 | -> | 734| 0| 0.379863MB |液体微滴喷射靶,激光等离子体光源,极紫外投影光刻
摘 要 基于软X 射线辐射计量和极紫外投影光刻( EUVL) 应用, 研制了一台使用纳秒激光器的液体微滴喷射靶激光等离子体( LPP) 极紫外光源。该光源由一个可连续控温的不锈钢电磁喷气阀门、YAG 激光器和能同步控制喷气阀门和激光器的脉冲发生器组成。使用液氮作致冷剂, 控温范围77~ 473 K。对于足够高的背景气压和低的阀门温度, 当气体经过阀门脉冲式地喷入真空靶室内时, 气体经过气液相变碎裂成大量的液体微滴形成液体微滴喷射靶。首先, 依据非相对论量子力学理论, 使用原子光谱分析常用的Cow an 程序,计算了O2 , CO2 和CF4 等几种液体在1011 ~ 1012 W cm- 2 激光功率密度下可能相应产生的O4+ , O5+ ,O6+ , O7+ , F5+ , F6+ 和F7+ 离子的电偶极辐射跃迁波长和跃迁概率。其次, 在激光焦点功率密度为8 1011W cm- 2 时, 测量了CO2 , O2, CF4 液体微滴喷射靶在6~ 20 nm 波段的光谱。理论计算结果与实验结果相比较, 得出了所测量谱线的电偶极辐射跃迁波长和跃迁概率以及跃迁能级所应归属的组态和光谱项。
目前, 低碎屑激光等离子体光源的最主要应用领域是极紫外( EUV) 投影光刻, 特别是以激光等离子体为光源的掩膜缩小成像的投影式EUV 光刻, 其刻划的最小特征尺寸可达0 035 m, 因而这种光刻技术被认为是本世纪初信息产业中生产高集成度计算机芯片的最佳方法之一。EUV 投影光刻最常用的波长范围是11~ 14 nm, 在此波段已经制备出接近理论计算反射率的多层膜光学元件[13] 。
作为光源的激光等离子体, 人们更关心它的光谱辐射情况。决定激光等离子体光谱辐射特性的基本参量是靶材的原子序数Z。Z 影响着碰撞电离所产生的电离态、谱线位置及辐射强度。在实际应用中, 靶材的选取应该首先考虑在感兴趣的波段范围内有强辐射跃迁的材料, 即激光EUV 转换效率高的材料。为了做到这一点, 必须对靶材的光谱辐射特性进行分析。不同的应用对靶材的要求不同, 对靶材所辐射波长的要求差异很大。本文根据EUV 投影光刻和辐射计量对激光等离子体靶材的要求, 测量了CO2 , O2 和CF4 液体微滴喷射靶LPP 源在6~ 20 nm 波段的软X 射线辐射光谱, 并与理论计算的O4+ , O5+ , O6+ , O7+ , F5+ , F6+ 和F7+ 等离子的电偶极辐射跃迁波长、谐振子强度( 或跃迁概率) 进行比较,给出了所测量谱线的电偶极辐射跃迁波长、谐振子强度和跃迁概率以及跃迁能级所应归属的组态和光谱项。
作为光源的激光等离子体, 人们更关心它的光谱辐射情况。决定激光等离子体光谱辐射特性的基本参量是靶材的原子序数Z。Z 影响着碰撞电离所产生的电离态、谱线位置及辐射强度。在实际应用中, 靶材的选取应该首先考虑在感兴趣的波段范围内有强辐射跃迁的材料, 即激光EUV 转换效率高的材料。为了做到这一点, 必须对靶材的光谱辐射特性进行分析。不同的应用对靶材的要求不同, 对靶材所辐射波长的要求差异很大。本文根据EUV 投影光刻和辐射计量对激光等离子体靶材的要求, 测量了CO2 , O2 和CF4 液体微滴喷射靶LPP 源在6~ 20 nm 波段的软X 射线辐射光谱, 并与理论计算的O4+ , O5+ , O6+ , O7+ , F5+ , F6+ 和F7+ 等离子的电偶极辐射跃迁波长、谐振子强度( 或跃迁概率) 进行比较,给出了所测量谱线的电偶极辐射跃迁波长、谐振子强度和跃迁概率以及跃迁能级所应归属的组态和光谱项。
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