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ZnO纳米颗粒受激发射的时间分辨特性

王泽华 | -> | 777| 0| 0.446248MB |ZnO纳米颗粒,时间分辨,受激发射

王泽华 王泽华 | 文档量 |浏览量14703

摘 要 在飞秒脉冲激光激发下, 观察到了均匀沉积法获得的ZnO 纳米颗粒的受激辐射现象, 并从频域和时域两方面研究了ZnO 纳米多晶的室温激射特性。氧化锌纳米颗粒中出现激子2激子散射导致的激射阈值为712 GW ·cm- 2 , 激射模式类似于F2P 谐振腔模式, 时域谱则表现为寿命曲线中出现快速衰减成分。与荧光的时间衰减曲线不同, P 带时间衰减具有对称结构, 高斯拟合结果只有几个p s , 接近条纹相机的时间分辨率极限。研究ZnO 纳米颗粒的受激发射与激光特性对揭示ZnO 晶体的内部结构和激子激发态的性质、激光产生的机理等有重要意义。
    ZnO 为直接带隙半导体, 室温禁带宽度约为3137 eV ,对应紫外光波长, 能以带间直接跃迁的方式获得高效率的紫外辐射复合[1 ] 。ZnO 的另一个重要特性是激子束缚能很大,高达60 meV , 能有效工作于室温( KB T~26 meV) 及更高温度, 而且光学增益与块状ZnO 晶体相比要高一个数量级以
上, 可达300 cm- 1 , 这就使得ZnO 成为短波长半导体激光器材料研究的国际热点[2-4 ] 。但是早期可能由于晶体生长技术的限制并没有观察到ZnO 室温下的激子复合发光, ZnO 晶体中高密度的缺陷很容易使自由激子散射而离化[5 , 6 ] 。
    近年来, 用各种方法制作的ZnO 薄膜都相继观察到了紫外受激发射, 显示出了这种材料在制造紫外光半导体激光器中广阔的应用前景。但ZnO 室温受激辐射的报道多以薄膜为主, 有关ZnO 纳米多晶颗粒中出现激射的时间分辨特性未见报道。本文用波长为320 nm 的飞秒超短脉冲激光激发均匀沉积法制备的ZnO 纳米多晶颗粒, 在室温下观察到了其受激辐射现象, 并通过改变激光的激发强度, 从时域、频域两方面研究了ZnO 多晶颗粒中受激辐射谱带的变化特征。
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