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不同物质对亚硝酸盐积累的影响

吴冰 | -> | 873| 0| 464.178MB |亚硝酸盐,有机碳源,氯离子,硫酸根离子,磷酸根离子

吴冰 吴冰 | 文档量 |浏览量26555

摘要: 亚硝化-厌氧氨氧化脱氮工艺的关键是实现亚硝酸盐的累积. 实验采用SBR反应器, 在实现亚硝酸盐稳定积累的基础上, 考察了不同的碳源种类及离子对亚硝酸盐积累的影响. 结果表明, 当进水COD不高于200m g# L- 1 ( 0< C /N[ 0. 34 )时, 外加碳源对亚硝酸盐的积累有促进作用, 亚硝酸盐积累率可达到78%; 碳源种类对亚硝酸盐积累的影响不明显, 而对出水COD的影响较为明显, 其中以葡萄糖为碳源时COD去除率最高, 可达到98. 4%. 亚硝酸盐的积累率随氯离子、硫酸盐以及磷酸盐浓度的增大而迅速下降, 当其浓度分别达到0. 5m ol#L- 1、0. 4 m ol#L- 1以及0. 4 m ol#L- 1时, 好氧氨氧化菌活性被完全抑制, 氨氮转化率为零; 抑制亚硝酸盐累积的离子排序为: 硫酸盐> 磷酸盐> 氯离子> C /N.
    亚硝化-厌氧氨氧化工艺被誉为可实现的最短的脱氮工艺, 该工艺的技术关键之一就是控制厌氧氨氧化进水中氨氮与亚硝氮比例约1B1. 3. 人们对温度、pH 值、游离氨( FA )、溶解氧( DO )、水力停留时间(HRT)等对亚硝酸积累的影响进行了研究. 当pH 为7. 5~ 8. 5 (H ellinga C, et al. , 1998; 陈际达等, 2000; 徐冬梅等, 1999 )、温度30 ~ 35e(Mu lder, 1997)、SRT 为1d, DO 为0. 5 ~ 1 mg# L- 1( Hanak,i et al. , 1990; Laanbroek, 1993; 王志盈等,2000; A lleman, 1984; B erna,t 2001; W iesm ann,1994)时有利于富集好氧氨氧化菌、淘汰亚硝酸盐氧化菌, 实现稳定的亚硝酸盐的积累.好氧氨氧化菌属于自养菌, 生长缓慢易流失,
会受到溶液中有机物、氯、磷及重金属等多种物质的影响. A. Mosquera-Corral 等( Mosquera-Corralet al. , 2005)采用CSTR反应器研究了TOC /N 以及盐离子对亚硝酸盐积累的影响, 当TOC /N 为0. 2时, 碳源对亚硝酸盐的积累有促进作用, 而当TOC /N 高于0. 3时, 好氧氨氧化菌活性受到抑制, 氨氮的转化率降低至10% ; 水中的N aC l、KC l、Na2 SO4等都会抑制好氧氨氧化菌的活性, 当C l- 浓度达到0. 5mo l# L- 1时, 好氧氨氧化菌被完全抑制. Now ak 等(N ow ak et al. , 1996) 研究发现亚硝酸盐氧化菌的磷酸盐半饱和系数高于好氧氨氧化菌一个数量级
( 0. 2~ 0. 03mg# L- 1 ) . A rqu iaga等( A rquiaga et a l. ,1993)的研究发现, 低浓度的铜、铁、铅、铬和镉对亚硝酸盐的积累没有明显的影响, 也不显生物毒性.
    已有的研究主要是针对碳源总量对亚硝酸盐累积的影响, 以及在无机碳源条件下, 不同离子对亚硝化过程的影响. 而对于碳源的种类以及有机碳源条件下不同离子对亚硝化过程的影响的研究尚
无报道. 本课题组此前实现了SBR 反应器亚硝酸盐的稳定积累以及好氧氨氧化菌与好氧异养菌的共
存, SBR 反应器比CSTR 反应器的亚硝酸盐积累效果稳定, 且当C /N[ 0. 34时, SBR反应器COD 去除率仍可达到90% 以上, 氮的转化率最高可达到0117kg#m- 3# d- 1 (阎佳等, 2008) . 在此基础上, 本文进一步研究在进水C /N = 0. 34时, 不同碳源(糖类、有机酸类)及离子(氯离子、磷酸根离子及硫酸根离子)对亚硝酸盐积累的影响, 以期为部分亚硝化的实际应用提供理论依据.
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