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关键词：
铕配合物,铽配合物,2-噻吩甲酸,2,2′-联吡啶
发表时间：
2012-01-11 10:21:04
有机多层量子阱结构的光致发光特性的研究
冯天磊 | -> | 703| 0| 0.638745MB |有机多层量子阱结构(OMQWs),激子发光,光致发光(PL)
摘 要 采用多源高真空有机分子束沉积系统( OM BDs) , 将两种有机小分子材料PBD 和Alq3 以交替生长的方式, 制备了不同厚度的PBD/ Alq3 有机多层量子阱结构( OMQWs) , 并利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定了PBD 和Alq3 的最低空分子轨道( LUMO) 和最高占据分子轨道( H OMO) 。该结构类似于无机半导体中的Ⅰ型量子阱结构, PBD 层作为势垒层, Alq3 层作为势阱层和发光层, 并进行了小角X 射线衍射( XRD) 的测量。利用荧光光谱研究了OMQWs 光致发光( PL) 特性, 得到随着阱层厚度的降低, 光致发光的峰位将蓝移; 同时随垒层厚度的减小, PBD 的发光峰逐渐消失。利用量子阱结构可以使PBD 的能量有效的传递给Alq3, 从而增强Alq3 的发光。
自1968 年江崎等提出半导体超晶格、量子阱结构[1] 以来, 由于其奇特的电学和光学特性及在光电器件等方面的广泛应用, 半导体量子阱结构的研究越来越受到人们的重视。但对无机多层量子阱结构所用的材料来说, 需考虑晶格匹配的问题。相比而言, 有机材料是由弱的范德瓦尔斯力结合,这就避免了由不同晶格常数的材料导致的晶格应力的产生[2] 。
1989 年So 等最早报道了使用有机材料PT CDA 和DTCDA 构成的有机多层量子阱结构( OMQWs) , 指出吸收峰蓝移的可能原因是极化效应和激子限制效应。之后, 许多研究人员投入到这方面的研究工作中[ 3, 4] 。1993 年Ohmor i等报道了利用TPD/ Alq3 有机多层量子阱结构得到的发射光谱的谱线峰值半高宽( FWH M) 随层厚的减小而窄化, 电致发光的发射峰也随阱厚的减小而向高能方向移动[ 5, 6] 。1998年开始, An 等对OMQWs 的特性进行了深入的研究, 并指出发光峰蓝移现象归因于量子尺寸效应, 同时利用这种结构制备出了高效的有机电致发光器件和白光器件[ 7- 9] 。
本文中采用了多源高真空有机分子束沉积系统( OM BDs) , 将两种有机小分子材料PBD 和Alq3 以交替生长的方式, 制备了PBD/ Alq3 有机多层量子阱结构( OMQWs) 。而后利用电化学循环伏安法和光吸收边测定并计算了PBD和Alq3 的LUMO 和H OM O, 绘出了能级图, 归为Ⅰ型量子阱结构。利用小角XRD 研究量子阱结构的成膜性和完整性。讨论了具有多层PBD/ Alq3 交替生长的量子阱结构的光致发
光特性, 并且对不同结构的光致发光峰蓝移现象及能量转移进行讨论。
1989 年So 等最早报道了使用有机材料PT CDA 和DTCDA 构成的有机多层量子阱结构( OMQWs) , 指出吸收峰蓝移的可能原因是极化效应和激子限制效应。之后, 许多研究人员投入到这方面的研究工作中[ 3, 4] 。1993 年Ohmor i等报道了利用TPD/ Alq3 有机多层量子阱结构得到的发射光谱的谱线峰值半高宽( FWH M) 随层厚的减小而窄化, 电致发光的发射峰也随阱厚的减小而向高能方向移动[ 5, 6] 。1998年开始, An 等对OMQWs 的特性进行了深入的研究, 并指出发光峰蓝移现象归因于量子尺寸效应, 同时利用这种结构制备出了高效的有机电致发光器件和白光器件[ 7- 9] 。
本文中采用了多源高真空有机分子束沉积系统( OM BDs) , 将两种有机小分子材料PBD 和Alq3 以交替生长的方式, 制备了PBD/ Alq3 有机多层量子阱结构( OMQWs) 。而后利用电化学循环伏安法和光吸收边测定并计算了PBD和Alq3 的LUMO 和H OM O, 绘出了能级图, 归为Ⅰ型量子阱结构。利用小角XRD 研究量子阱结构的成膜性和完整性。讨论了具有多层PBD/ Alq3 交替生长的量子阱结构的光致发
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