电子器件制作的宽禁带半导体材料是当今发光材料研究领域的热门。ZnO 是一种自激活半导体材
料, 在室温下其直接带隙宽度为3. 73eV, 激子束缚能为60meV, 这比同是宽禁带材料的ZnSe
( 20meV) 和GaN( 21meV) 高得多[ 1] , ZnO 薄膜的熔点为1975℃, 具有很高的热稳定性和化学稳定性, ZnO 薄膜可以在低于500℃的温度下获得, 较GaN、SiC 和其他Ⅱ—Ⅵ族半导体宽禁带材料制备温度低得多, 这些特点使ZnO 具备了作为室温短波长光电子材料的必备特征, 因此, 研究ZnO 薄膜的发光特性具有十分重要的意义。目前文献报道的ZnO 薄膜主要采用金属有机物化学气相沉积( MOCVD) 分子束外延( MBE) 和激光脉冲沉积( PLD) 等方法制备[ 1—4] , 这些方法成本高, 技术要求高。溶胶-凝胶法( Sol-gel) 制备纳米颗粒分散性好, 粒径小, 尺寸分布窄, 颗粒形状均匀, 并且由于生长温度低, 成本低, 易于掺杂[ 5—7] , 使得纳米ZnO 薄膜更有利于光电子领域里的应用。但目前使用溶胶-凝胶法制备ZnO 薄膜并研究其光学特性的报道不多。本文采用溶胶-凝胶法制备了纳米ZnO薄膜, 室温下测量了样品的透射谱、X 射线衍射谱、扫描电子显微镜( SEM) 图和光致发光谱, 实验结果表明, 纳米ZnO 薄膜呈多晶状态, 具有六角纤锌矿晶体结构和良好的C 轴取向, 在其光致发光呈多发光峰状; 光谱中发现未见报道的绿带以后中心波长为586nm 和570nm 两个弱发射峰。显然, 实验中制备的ZnO 薄膜具有发光特性, 但制备的薄膜内部与深能级相关的结构缺陷浓度较高。
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关键词: 石墨炉,原子吸收光谱法,测定,水,铝 发表时间: 2012-03-09 15:32:23
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关键词: 生铁,钦,分光光度法 发表时间: 2012-03-09 15:30:38
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关键词: 生态纺织品,有害金属元素,ICP-AES,分析 发表时间: 2012-03-09 15:29:46
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关键词: 溶胶-凝胶法,ZnO薄膜,光致发光谱,晶界缺陷 发表时间: 2012-03-09 15:28:15
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关键词: 吲哒帕胺,液相色谱-质谱法,血药浓度 发表时间: 2012-03-09 15:26:29
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关键词: 可见/近红外光谱,黄酒,主成分分析,BP神经网络,品种鉴别 发表时间: 2011-12-22 15:17:52