激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法分_省略_e晶体中掺杂元素Cr的含量和分布_朱燕
宋丹杨 | -> | 450| 0| 0.373802MB |激光剥蚀电感祸合等离子体质谱;Cr: ZnSe异,体;掺杂
光增益,在环境监测、大气遥感、医疗、激光通信等领域有着广泛的应用前景[D -a7 o Crz‘掺杂浓度及其均
匀性是评价晶体性能的重要指标。半导体材料中过渡族金属(TM)掺杂的一个典型特征是TM离子几
种电荷状态共存[[5]。在Cr掺杂ZnS。晶体中,Cr以Crl' ,Crz' ,Cr3+形式共存,其中CrZ+为主要稳定电荷
状态(>95%),其浓度正比于总Cr浓度[Cpl。因此,准确测定CrZ+或总Cr浓度及其分布情况对晶体制备及
性能评价意义重大。目前,Cr掺杂浓度测定主要采用电感祸合等离子体原子吸收光谱(ICP AES)法和近
红外吸收光谱法[00。但这两种方法均无法表征晶体的均匀性,从而影响掺杂元素浓度的准确测定。
激光剥蚀电感祸合等离子质谱(LA}CP}VIS)技术,己成为现代固体材料中元素组成分布和同位素
分析的最有用方法之一[[A, 9],广泛应用于地球化学、考古、环境科学、材料科学、生命科学等领域[CIO - 16]
LA}CP}VIS直接固体进样分析,没有繁琐的样品预处理和复杂的数据处理过程,且样品几乎是无损的,
可用于样品的整体分析和微区原位分析,获得某一特定位置的元素组成和分布特征信息。LA}CP}VIS
应用于中红外固体激光晶体材料中掺杂元素含量分析鲜有报道。Gruhl等[I7]研究了ZnSI _.} Se二半导体
材料中主量元素Se的LA}CP}VIS定量分析和校正方法。由于样品的物理化学性质差异影响激光的剥蚀
行为,校正问题一直是LA}CP}VIS法准确定量分析的难点。固体标准物质发展相对缓慢,难以找到完全与
固体样品基体相匹配的标准物质。本实验采用CVD晶体生长和镀膜扩散掺杂方法,研制了不同掺杂浓
度的Cr: ZnSe晶体标准物质,优化LA}CP}VIS参数,并用于实际样品分析,取得较为满意的结果。
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关键词: 聚合离子液体;石墨烯;固相萃取;有机磷农药 发表时间: 2017-02-07 11:47:20
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关键词: 巨磁阻效应;微流体免疫传感器;D=聚体;磁颗粒 发表时间: 2017-02-07 11:46:44
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关键词: 邻苯二甲酸二甲酷;化学发光酶兔疫分析;白酒;酱油 发表时间: 2017-02-07 11:46:06
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关键词: 偶氮苯衍生物;分子探针;传感芯片;生物分析;光开关;分子识别;综述 发表时间: 2017-02-07 11:45:25
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关键词: 固定化离子液体;固相萃取;离子液体碳糊电极;双酚A;电化学检测 发表时间: 2017-02-07 11:44:45
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关键词: 伏马毒素;阴离子固相萃取柱;液相色谱州卜联质谱法;畜禽配合饲料 发表时间: 2017-02-07 11:38:26