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关键词：
ZnO薄膜,掺杂效应,荧光特性
发表时间：
2012-03-21 15:01:52
MEH􀀂PPV/ CdSe 纳米复合器件的光电导特性的研究
韩佳霖 | -> | 689| 0| 0.195047MB |光电导,MEHPPV/CdSe,纳米复合器件
摘 要 以CdO 和Se 粉作为前驱物, 在T OPO/ TOP 有机体系中制备了CdSe 纳米晶, 将其与聚合物MEHPPV 复合制备了复合光电导器件, 研究了它的光电导特性, 并将其与单层MEHPPV 光电导器件的特性进行了比较。结果发现纳米复合光电导器件的光电流响应光谱的2 个峰的位置基本上与MEHPPV 和CdSe 纳米晶的吸收峰的位置相对应, 这说明CdSe 纳米晶和聚合物M EHPPV 的吸收对光电流都有贡献, 主要是由于CdSe 纳米晶和M EHPPV 界面处的激子离化和电荷转移造成的。而且复合器件的光电流较单层有所增强, 且M EHPPV 器件光谱的响应范围更宽。
近年来, 光电导已经成为研究光激发机制一种重要的研究手段, 有机光电导材料由于其巨大的商业应用价值早在1906 年就引起了科学家的兴趣。尽管有机光电导材料与无机光电导材料相比较有着独特的优点, 如原料成本低, 聚合物材料可任意剪裁, 空穴迁移率大于电子迁移率等, 但是实验结果显示, 单层的有机光电导器件的发展前景并不乐观[1, 2] 。近年来, 有机无机复合光电导器件的研究受到了国内外科学工作者的广泛关注, 并取得了一定的研究成果。随着半导体纳米晶的制备技术和性质研究的突破, 将半导体纳米晶与有机聚合物复合应用于光电导器件推动了人们对纳米晶/ 聚合物复合器件的激发态过程的研究[3, 4] 。半导体纳米晶的比表面积大, 而且由于量子尺寸效应导致其吸收光谱的峰位可在可见光区内进行调节, 因此CdS, CdSe 等半导体纳
米晶是非常理想的用于电荷分离的材料。将半导体纳米晶与有机( 聚合物) 材料进行复合, 制备有机无机复合光电导器件是非常重要的一个应用领域[38] 。这种光电导器件的发展是构建施主受主异质结的器件结构。在2 种材料的界面处要求存在着由于电子亲合能和离化能之差形成的静电力, 这就要求聚合物分子的电子亲合势和离化能比纳米晶要大, 这样才会形成内建电场, 从而驱使电荷分离。如果势能差大于激子束缚能, 这些局域内电场会很强并使光生激子解离。其中
许多聚合物的H OMO 能级都能提供与Cd 的硫属化物相匹配的能级, 例如MEHPPV( 见图1( a) 所示) 等。作为新型的光电导器件, 纳米晶/ 聚合物复合器件吸引了众多研究者从事相关的研究工作。本文采用Peng 等[ 9] 的合成方法, 在T OPO/ TOP 有机体系中, 以CdO 和Se 粉作为前驱物制备了CdSe 纳米晶, 并将其与聚合物MEHPPV 复合制备了纳米复合光电导器件, 通过稳态光电流响应光谱、吸收光谱以及电流电压曲线等研究手段研究了器件的电荷转移和离化过程。
米晶是非常理想的用于电荷分离的材料。将半导体纳米晶与有机( 聚合物) 材料进行复合, 制备有机无机复合光电导器件是非常重要的一个应用领域[38] 。这种光电导器件的发展是构建施主受主异质结的器件结构。在2 种材料的界面处要求存在着由于电子亲合能和离化能之差形成的静电力, 这就要求聚合物分子的电子亲合势和离化能比纳米晶要大, 这样才会形成内建电场, 从而驱使电荷分离。如果势能差大于激子束缚能, 这些局域内电场会很强并使光生激子解离。其中
许多聚合物的H OMO 能级都能提供与Cd 的硫属化物相匹配的能级, 例如MEHPPV( 见图1( a) 所示) 等。作为新型的光电导器件, 纳米晶/ 聚合物复合器件吸引了众多研究者从事相关的研究工作。本文采用Peng 等[ 9] 的合成方法, 在T OPO/ TOP 有机体系中, 以CdO 和Se 粉作为前驱物制备了CdSe 纳米晶, 并将其与聚合物MEHPPV 复合制备了纳米复合光电导器件, 通过稳态光电流响应光谱、吸收光谱以及电流电压曲线等研究手段研究了器件的电荷转移和离化过程。
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