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关键词：
X射线,光谱分析,现状,趋势
发表时间：
2012-03-21 15:31:07
PTCDA_ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析
王帅 | -> | 832| 0| 0.172244MB |表面及界面,X光电子能谱(XPS),PTCDA/ITO
摘 要 利用X 射线光电子能谱对PT CDA/ pSi 有机/ 无机光电探测器中PTCDA/ IT O 表面和界面进行了测试分析。结果表明, 环上的C 原子的结合能为284 6 eV, 酸酐中的C 原子的结合能为288 7 eV, 并存在来源于ITO 膜中的氧对C 原子的氧化现象, 界面处C( 1s) 谱中较高结合能峰消失, 且峰值向低结合能发生化学位移; C O 键中O 原子的结合能为531 5 eV, C O C 键中的O 原子的结合能为533 4 eV。
光电子技术的迅猛发展, 有机半导体材料及器件的研究已取得了十分重要的成果。有机电致发光器件( OLED) 、有机场效应管( OFET) 、有机光敏场效应管( OPFET ) 等的研究与试制, 极大地拓宽了有机光电子学的发展空间。与无机半导体相比, 有机半导体器件具有制造工艺简单, 投入成本较低, 而且可以实现柔性大平面加工[ 14] 。
有机材料PTCDA , 分子式为C24 H8O6 , 分子结构如图1所示[ 57] 。它是一种单斜晶系宽带隙有机半导体材料, 其价带和第一紧束缚导带之间的能量是2 2 eV, 而每个晶胞含有两个分子, 分子间重叠距离为0 321 nm。在常温下, 高度有序的PT CDA 薄膜的空穴浓度为5 1014 cm- 3 , 其垂直基片的空穴迁移度在10- 7 ~ 10- 6 cm2 ! ( V ! s) - 1 之间[8] , 对波长为632 8 nm 的光透明。
有机材料PTCDA , 分子式为C24 H8O6 , 分子结构如图1所示[ 57] 。它是一种单斜晶系宽带隙有机半导体材料, 其价带和第一紧束缚导带之间的能量是2 2 eV, 而每个晶胞含有两个分子, 分子间重叠距离为0 321 nm。在常温下, 高度有序的PT CDA 薄膜的空穴浓度为5 1014 cm- 3 , 其垂直基片的空穴迁移度在10- 7 ~ 10- 6 cm2 ! ( V ! s) - 1 之间[8] , 对波长为632 8 nm 的光透明。
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